대만의 세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 TSMC가 50조원이 넘는 공격적인 투자를 선언했다. 사상 처음으로 연간 투자금액이 삼성전자를 넘어설 것으로 예상된다.

지난 13일 TSMC는 지난해 4분기 실적 발표를 하면서 올해 최대 440억달러(약 52조2000억원)의 투자금액을 집행하겠다고 밝혔다. 이는 지난해 투자 규모(300억달러)보다 47% 늘어난 수치이자 삼성전자의 지난해 영업이익과 유사한 금액이다.

반면 삼성전자는 지난해 3분기까지 29조9000억원의 반도체 관련 투자를 집행했다. 이는 주로 경기도 평택 3공장(P3) 건설과 기존 시설 개보수 등에 사용됐다. 삼성전자는 지난해 연간 투자금액과 올해 예상치를 아직 밝히지 않았다. 업계에서는 삼성이 지난해 약 40조원을 투자한 것과 올해 평택 4공장과 미국 텍사스주 테일러시 파운드리 공장 투자 등을 감안할 때 올해 최소 45조원의 투자가 집행될 것으로 보고 있다. 이렇게 되면 TSMC의 연간 투자금액이 올해 처음으로 삼성전자를 넘어서게 된다.

웨이저자 TSMC 최고경영자(CEO)는 "전자제품은 물론 5세대 이동통신(5G)과 고성능 컴퓨터를 중심으로 반도체 수요가 꾸준히 늘고 있어 올해도 좋은 실적을 낼 것으로 기대한다"고 밝혔다. 실제로 비메모리 반도체 수요가 폭발적으로 늘어나면서 지난해 TSMC의 수익은 전년보다 25% 급증했다. 올해도 20% 후반대 수익 증가가 예상된다. 견조한 실적으로 TSMC가 현재 보유하고 있는 현금만 380억달러에 달한다. 440억달러 투자 계획이 전혀 근거 없는 숫자가 아니라는 얘기다.

TSMC가 투자를 서두르는 배경에는 삼성전자가 있다. 시장조사기관인 트렌드포스에 따르면 TSMC는 지난해 3분기 기준 세계 파운드리 시장에서 매출 기준 점유율 53.1%로 압도적인 선두를 기록하고 있다. 삼성전자는 17.1%로 2위다.

하지만 메모리 반도체 분야에서 세계 1위인 삼성전자가 '2030년 시스템 반도체 세계 1위'라는 목표를 내걸고 파운드리 시장에서 맹추격을 하면서 TSMC가 잔뜩 긴장하고 있다. 삼성전자는 현재 건설 중인 P3에 최첨단 공정이 적용된 파운드리 라인을 넣을 예정이다. 또 2024년 하반기 가동을 목표로 올해 1분기에 미국 테일러시에 파운드리 공장 건설에 나선다.

첨단 생산설비가 갖춰진 공장이 본격 가동될 것에 대비해 삼성전자는 고객 확보에 총력을 다하고 있다. 삼선전자는 올해 상반기에 차세대 GAA(게이트올어라운드) 기술이 적용된 3㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 공정의 시스템 반도체 생산을 목표로 하고 있다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비 전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술로 파운드리 업계 1·2위인 TSMC와 삼성전자가 경쟁적으로 도입을 서두르고 있다.

여기에 대응해 TSMC는 2나노 공정의 반도체 양산을 서두르고 있다. 이번에 TSMC가 제시한 투자금액은 2나노 기반 반도체 공장 건설에 집중해 삼성과의 기술 격차를 유지하기 위한 목적으로 활용될 전망이다. 또 TSMC는 올해 하반기 3나노 양산 일정에도 차질이 없다고 밝혔다. 

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